Silicijev karbid (SiC) je jedro sestavljenih polprevodnikov tretje generacije. S fizikalnimi lastnostmi, kot so visoko razpadno električno polje, visoka toplotna prevodnost in širok pasovni razmik, prebija zgornjo mejo zmogljivosti tradicionalnih napajalnih naprav na osnovi silicija in je osrednja komponenta za visokonapetostne in visokozmogljive scenarije, kot so nova energetska vozila, računalniški napajalniki z umetno inteligenco, fotovoltaično shranjevanje energije in železniški tranzit. Leta 2025 je industrija zaradi cenovnih vojn doživela presežne zmogljivosti in globok razčiščevanje. Od četrtega četrtletja leta 2025 se industrija uvaja v strukturno prelomnico. Visokokakovostni substrati in naprave za avtomobilsko industrijo in AI power-grade vstopijo v cikel pomanjkanja, medtem ko ponudba nizkocenovnih izdelkov za splošno rabo ostaja ohlapna, kar kaže na očitno strukturno diferenciacijo v industriji. Svetovni trg dolgoročno ohranja visoko sestavljeno stopnjo rasti, z novimi energetskimi vozili kot temeljno osnovo in računalniško infrastrukturo AI, ki postaja druga krivulja rasti. Domača industrijska veriga je dosegla skokovit preboj v segmentu substratov, pri čemer je globalno vodilna v tržnem deležu 8-palčnih substratov, medtem ko segmenti epitaksije, naprav in modulov še naprej pospešujejo domačo zamenjavo. Vendar ostajajo glavne pomanjkljivosti certificiranje avtomobilskega razreda, donos, stroški in patentne ovire.
I. Pregled industrije: Osnovna načela silicijevega karbida (SiC) in strukture industrijske verige
1.1 Lastnosti materiala in uporabna vrednost silicijevega karbida
Silicijev karbid (SiC) je sestavljen polprevodniški material, sestavljen iz silicija in ogljika, ki spada med širokopasovne polprevodnike tretje generacije. V primerjavi s tradicionalnimi silicijevimi (Si) materiali ima tri glavne prednosti: razgradna električna poljska jakost je približno 3-krat večja od silicija, kar podpira višje napetostne ravni; toplotna prevodnost je približno 3-krat večja od silicija, kar znatno izboljša sposobnost odvajanja toplote; in stikalne izgube so nižje z večjo odpornostjo na visoke temperature. V scenarijih pretvorbe električne energije z visoko napetostjo in visoko močjo lahko napajalne naprave iz SiC zmanjšajo sistemske izgube, zmanjšajo odvajanje toplote in prostornino ter izboljšajo učinkovitost pretvorbe energije, zaradi česar postanejo osnovni material za energetski prehod in računalniško infrastrukturo.
Tradicionalni IGBT (bipolarni tranzistorji z izoliranimi vrati) na osnovi silicija imajo vidne pomanjkljivosti pri izgubah in odvajanju toplote pri visokonapetostnih platformah 800 V in več, medtem ko so SiC MOSFET (polprevodniški polprevodniški tranzistorji s silicijevim karbidom) naravno primerni za visokonapetostne platforme 800 V, zato so postali glavna izbira za nove visokonapetostne platforme za energetska vozila. Poleg napajalnih naprav se lahko SiC uporablja tudi v nastajajočih smereh, kot so RF naprave in napredni substrati za odvajanje toplote embalaže, kar odpira večji tržni prostor.
1.2 Struktura industrijske verige
Industrijska veriga SiC je razdeljena na tri glavne segmente: predhodni substrati in epitaksija; proizvodnja srednjih čipov, naprav in napajalnih modulov; in nadaljnjih aplikacij. Substrati so segment z najvišjo vrednostjo in najmočnejšimi tehničnimi ovirami v celotni industrijski verigi, saj predstavljajo približno 47 % skupnih stroškov naprav, in so v središču industrijske konkurence.
1. Gorvodno: podlage + epitaksija
Substrati SiC: razdeljeni na prevodni tip (napajalne naprave, nova energetska vozila, shranjevanje energije, napajalniki AI) in polizolacijski tip (RF naprave). Glavna velikost je 6 palcev, industrija se premika proti 8 palcem, 12 palcev pa je vstopilo v stopnjo preverjanja vzorcev. Večje velikosti so ključna pot do znižanja stroškov. Površina 8-palčnih substratov je 78 % večja od 6-palčnih substratov, število rezov na rezino se poveča za približno 1,8 do 2-krat, izguba robov je zmanjšana in stroški na rezino se zmanjšajo za približno 35 %. Glavne težave pri pripravi substrata so izkoristek rasti kristalov, nadzor napak in skaliranje velikosti. Peči za rast kristalov, oprema za rezanje, brušenje in poliranje so glavni kapitalski izdatki.
Epitaksialne rezine: Epitaksialne plasti se gojijo na podlagah z opremo MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). Učinkovitost naprave je določena s kakovostjo epitaksialne plasti, to pa je ključna povezava, ki povezuje substrate in proizvodnjo čipov.
2. Midstream: proizvodnja čipov, naprav, napajalnih modulov
Na epitaksialnih rezinah SiC so polprevodniški postopki, kot so litografija, jedkanje in ionska implantacija, dokončani za pripravo čipov, kot so MOSFET-ji in SBD-ji (diode s Schottkyjevo pregrado); ti so nato zapakirani v napajalne module in dobavljeni neposredno končnim proizvajalcem na nižji stopnji. Čezmorska podjetja IDM (Integrated Device Manufacturer) (STMicroelectronics, Infineon, Wolfspeed) večinoma pokrivajo celotno verigo od substrata do epitaksije do naprav do modulov; domača podjetja pogosteje sprejmejo model delitve dela, pri čemer se podjetja za substrate, obrati za epitaksijo ter podjetja za načrtovanje naprav in pakiranje razvijajo neodvisno, medtem ko se nekatera podjetja širijo navzgor v gornjo verigo布局.
3. Nadaljnje aplikacije
Nova energetska vozila so glavni tir (glavni inverter, vgrajeni OBC, DC-DC, vgrajeni polnilni piloti); sledijo fotovoltaični pretvorniki, pretvorniki za shranjevanje energije, industrijski napajalniki, visokonapetostni napajalniki za strežnike z umetno inteligenco, železniški tranzit, visokonapetostna omrežja in infrastruktura za hitro polnjenje; mejna smer je napredna embalaža substratov za odvajanje toplote za računalniške čipe AI.
II. Stanje svetovne in domače SiC industrije
2.1 Pregled velikosti in rasti trga
Svetovni trg napajalnih naprav iz SiC še naprej hitro raste. Leta 2025 znaša svetovni trg napajalnih naprav SiC približno 40,691 milijarde RMB. Institucije napovedujejo skupno stopnjo rasti v višini 20,5 % od leta 2026 do leta 2032, pri čemer bo velikost trga do leta 2032 dosegla 147,968 milijarde RMB. Odprtokodni vrednostni papirji napovedujejo, da bo velikost svetovnega trga SiC do leta 2030 dosegla 12,4 milijarde USD, pri čemer bo infrastruktura umetne inteligence prispevala skoraj polovico novega povpraševanja, kar bo prekinilo preteklo strukturo rasti, ki je temeljila izključno na novih energetskih vozilih.
Z vidika strukture povpraševanja nova energetska vozila trenutno predstavljajo približno 61 % prihodkov od naprav SiC in so največji trg aplikacij. Povečanje prodora modelov visokonapetostne platforme 800 V neposredno poveča vsebnost SiC na vozilo; Napajalniki strežnikov z umetno inteligenco in polnjenje fotovoltaičnih shranjevalnikov so druga krivulja rasti. V preteklosti je trg na splošno opredelil SiC kot material za novo energetsko gosenico vozil. Trenutna industrijska logika je nadgrajena na model s tremi vozniki "nova energetska vozila + računalniška moč AI + novo shranjevanje energije."
2.2 Vzorec ponudbe in povpraševanja: globok obračun leta 2025, strukturno pomanjkanje leta 2026
Od leta 2021 do 2024 so se velike količine domačega kapitala zlile v tir SiC in veliko število projektov 6-palčnih substratov je bilo sproženih na koncentriran način. Zmogljivost industrije se je hitro širila. V kombinaciji z občasnim povpraševanjem, ki leta 2025 v industriji novih energetskih vozil ni doseglo pričakovanj, je industrija vstopila v ostre cenovne vojne. Cene nizkocenovnih substratov in naprav za splošno uporabo so močno padle, številni mali in srednje veliki proizvajalci so utrpeli izgube, industrija pa je vstopila v cikel čiščenja zmogljivosti. Izkoriščenost nizkocenovnih zmogljivosti se je močno zmanjšala, nekateri proizvajalci so zapustili trg.
Od četrtega četrtletja leta 2025 se je vzorec ponudbe in povpraševanja obrnil, vendar to ni bilo celovito pomanjkanje ponudbe, temveč strukturno pomanjkanje: (1) Dobava visokokakovostnih prevodnih substratov, epitaksije in MOSFET modulov za avtomobilski razred in AI power-grade je omejena. Izkoriščenost zmogljivosti vodilnih proizvajalcev substratov se je dvignila na več kot 90 %, cene 6-palčnih substratov so dosegle dno in se ponovno dvignile, cene 8-palčnih substratov pa so prenehale padati in se dvignile; čezmorska proizvajalca IDM Infineon in STMicroelectronics ter domača podjetja, kot je Yangjie Technology, so zaporedno zvišala kotacije naprav. Dobavni roki za naprave SiC za strežniške napajalnike z umetno inteligenco so se podaljšali na približno 30 tednov, pri čemer so se cene povečale za več kot 15 % v primerjavi s koncem leta 2025. (2) Dobava substratov nižjega cenovnega razreda z nizkimi indikatorji napak, ki ne morejo prestati certificiranja avtomobilskega razreda, in industrijskih naprav s splošnimi specifikacijami ostaja presežna, cene pa so še naprej pod pritiskom.
Glavni rezultat tega kroga preoblikovanja industrije: konkurenca v panogi se je premaknila iz zgolj tekmovanja v obsegu zmogljivosti v obsežno konkurenco zmogljivosti v izkoristku, nadzoru napak, certificiranju za avtomobilsko industrijo, stabilni dostavi in nadzoru stroškov. Industrijska koncentracija še naprej narašča, od česar imajo koristi vodilna podjetja.
2.3 Globalno konkurenčno okolje
Tradicionalni čezmorski velikani imajo prednosti prvega koraka in večinoma sprejemajo model IDM: Wolfspeed (Združene države, prej Cree), ROHM (Japonska), STMicroelectronics (ST), Infineon (Infineon) in onsemi. Čezmorski proizvajalci imajo globoko kopičenje patentov substratov, certificiranja strank za avtomobilsko industrijo, procesov naprav in pakiranja modulov ter že dolgo zavzemajo glavni delež na svetovnem trgu električnih naprav.
Domača podjetja so dosegla velike preboje v segmentu substratov. Leta 2025 so domača podjetja dosegla svetovno vodstvo na področju prevodnih substratov. Globalni tržni delež podjetja Tianyue Advanced pri 8-palčnih substratih SiC je presegel 50 %, njegov svetovni delež pri 6-palčnih prevodnih substratih pa je bil na prvem mestu. Tianyue Advanced in Tianke Heda skupaj držita tržni delež prevodnega substrata, ki presega delež Wolfspeeda. Kitajska dobava substrata SiC predstavlja približno 50 % svetovnega obsega in je vstopila na prvo svetovno raven. Domači segmenti epitaksije, naprav in modulov so še vedno v fazi dohitevanja. Domači proizvajalci naprav še vedno zaostajajo za čezmorskimi voditelji v certificiranju za avtomobilsko industrijo, zanesljivosti in zmožnosti stabilne dostave serij. Prvih pet proizvajalcev na domačem trgu električnih naprav skupaj zaseda 70,4-odstotni tržni delež, pri čemer so prvi trije čezmorska podjetja, medtem ko imajo domači proizvajalci še vedno razmeroma nizek tržni delež.
Reprezentativna podjetja v vsakem segmentu domače industrijske verige: (1) Substrati: Tianyue Advanced, Tianke Heda, Luxshare Technology; (2) Epitaksija: Tianyue Advanced, San'an Optoelectronics, Changfei Advanced; (3) Naprave/moduli: StarPower Semiconductor, Times Electric, Silan Microelectronics, Yangjie Technology, Basic Semiconductor; (4) Napredna oprema: Jingsheng Mechanical & Electrical (peči za rast kristalov), Jingsheng Equipment, AMEC (moCVD oprema za epitaksijo).
2.4 Notranjepolitično okolje
Kot ključni tir polprevodnikov tretje generacije in novih kakovostnih proizvodnih sil silicijev karbid spada v strateško usmeritev domače avtonomije in vodljivosti polprevodnikov. Nacionalni "14. petletni načrt" in "15. petletni načrt" še naprej podpirata industrializacijo polprevodniških materialov in naprav tretje generacije, številne kraje pa so ustanovile posebne industrijske sklade za zagotavljanje subvencij za gradnjo proizvodnih linij, naložbe v raziskave in razvoj ter projekte industrializacije. Hkrati domače industrijske politike za nova energetska vozila, fotonapetostno shranjevanje energije in računalniško infrastrukturo posredno spodbujajo povpraševanje po SiC-ju. Dividende politike pospešujejo preverjanje in uvedbo domačih dobavnih verig, vendar se industrijske subvencije postopoma preusmerjajo s subvencij za zmogljivost na visokokakovostne kazalnike, kot so raziskave in razvoj, izboljšanje donosa in certificiranje za avtomobilsko industrijo.
III. Analiza povpraševanja na nižji stopnji: tri glavne gonilne poti, prestrukturirana logika rasti
3.1 Nova energetska vozila: temeljna osnova industrije, 800 V platforme povečujejo vrednost na vozilo
Nova energetska vozila ostajajo največji vir povpraševanja po SiC. Na tradicionalnih 400 V platformah prevladujejo IGBT-ji na osnovi silicija; Visokonapetostne platforme 800 V imajo prednosti, kot so hitro polnjenje, zmanjšanje teže in izboljšan doseg, MOSFET-ji SiC pa so postali glavna rešitev. Naprave SiC se uporabljajo v komponentah, kot so glavni pretvornik, vgrajeni OBC, DC-DC in vgrajeni polnilnik, vrednost SiC na vozilo pa je znatno višja kot pri 400 V rešitvah na osnovi silicija.
Globalni glavni proizvajalci avtomobilov, kot so Tesla, BYD, NIO, XPeng, Volkswagen in Mercedes-Benz, še naprej uvajajo rešitve SiC v modelih višjega razreda. Ko se modeli s platformo 800 V pogrezajo v modele srednjega razreda, bo prodor SiC še naprej naraščal. Kratkoročno se industrija novih energetskih vozil sooča s pritiskom nihanja prodaje, vendar je srednje- in dolgoročni trend elektrifikacije gotov. Naraščajoča penetracija 800 V platform je 确定性 glavna linija, ki nenehno spodbuja povpraševanje po napravah iz SiC.
3.2 Napajalniki podatkovnih centrov z umetno inteligenco: druga krivulja rasti, preoblikovanje zgornje meje industrije
Računalniške gruče velikih modelov z umetno inteligenco zahtevajo ogromne strežniške napajalnike, nadgradnja visokonapetostnih napajalnih arhitektur za strežnike z umetno inteligenco pa ustvarja znatno povpraševanje po SiC. Pri tradicionalnih strežniških napajalnikih prevladujejo naprave na osnovi silicija. Visoko zmogljivi napajalniki z visoko gostoto umetne inteligence postavljajo višje zahteve glede izgub, odvajanja toplote in gostote moči. Naprave iz SiC lahko znatno zmanjšajo izgube pri napajanju, zmanjšajo količino napajalnika in znižajo tlak odvajanja toplote. Open Source Securities napoveduje, da bo do leta 2030 infrastruktura umetne inteligence prispevala skoraj polovico tržnega povpraševanja po SiC in tako postala najpomembnejši inkrementalni vir industrije.
Frontier direction: SiC kot substrat z visoko toplotno prevodnostjo za napredno pakiranje CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), ki se uporablja za odvajanje toplote HBM (High Bandwidth Memory), ki podpira računalniške čipe. Če bo industrializacija realizirana, se bo SiC razširil iz materiala za napajalne naprave v funkcionalni material za napredno pakiranje, kar bo močno povečalo vrednost na čip in odprlo povsem nov tržni prostor. Vendar je ta smer še vedno v fazi preverjanja vzorcev strank, industrializacija pa prinaša negotovost.
3.3 Fotovoltaično shranjevanje energije, industrija in železniški tranzit: stabilen prirast
Svetovne fotovoltaične naprave in naprave za shranjevanje energije še naprej rastejo. Centralizirani inverterji, string inverterji in PCS za shranjevanje energije postopoma prehajajo iz rešitev na osnovi silicija v rešitve SiC, s čimer izboljšujejo gostoto moči inverterja in učinkovitost pretvorbe. Industrijski motorji, visokonapetostni napajalniki, železniški tranzit in visokonapetostni prenos omrežja so srednje- in dolgoročne stabilne zahteve, za katere so značilni dolgi certifikacijski cikli, stabilna naročila in dolgi življenjski cikli, z izjemno visokimi zahtevami glede zanesljivosti naprav.
IV. Pot ponovitve tehnologije ter srednjeročna in dolgoročna napoved razvoja
4.1 Kratkoročno (2026–2028): obsežna 8-palčna izvedba, izboljšanje donosa + znižanje stroškov, pospešeno certificiranje avtomobilskega razreda
V naslednjih 2-3 letih bo glavna smer panoge optimizacija 6-palčne zmogljivosti in obsežna rast 8-palčnih substratov, epitaksije in proizvodnih linij naprav. 8 palcev je glavna velikost industrije v naslednjih 3-5 letih. Vodilni domači proizvajalci substratov bodo še naprej širili 8-palčne proizvodne linije, da bi zmanjšali stroške na rezino.
Glavno protislovje v industriji se je premaknilo iz "ali obstaja zmogljivost" na "izboljšanje donosa, nadzor nad napakami in pristanek označb strank za avtomobilski razred." Veliko število domačih podjetij za naprave pospešuje AEC-Q100 certificiranje avtomobilskega razreda za proizvajalce avtomobilov, shranjevanje energije in stranke napajalnikov z umetno inteligenco. Ker se izkoristek še naprej izboljšuje, stroški na enoto naprav iz SiC-ja še naprej upadajo, kar spodbuja prodor SiC-ja od modelov višjega razreda do modelov srednjega razreda in od napajalnikov višjega cenovnega razreda do splošnih industrijskih napajalnikov.
Stran ponudbe: po sprostitvi zmogljivosti leta 2025 se hitrost širjenja novih zmogljivosti upočasni, hitrost sproščanja novih zmogljivosti pa je nižja od rasti povpraševanja. Visokokakovostni izdelki avtomobilskega razreda ohranjajo tesen vzorec in industrija vstopi v cikel naraščajočega obsega in cen; substrati nižjega cenovnega razreda in naprave za splošne namene se še naprej soočajo s konkurenco, mali in srednje veliki proizvajalci, ki nimajo donosa in certifikatov strank, pa se še naprej izločajo, kar še povečuje koncentracijo industrije.
4.2 Srednjeročno (2029-2032): 8-palčni postane absolutni mainstream, 12-palčni industrializacija se začne, domača zamenjava vstopi v območje globokih voda
Izkoristek proizvodne linije 8-palčnih modelov se še naprej optimizira, stroški znatno upadejo, prodor SiC v nova energetska vozila, shranjevanje energije in napajalnike z umetno inteligenco pa se znatno poveča. Segment domačega substrata ohranja globalno konkurenčnost; domača zamenjava v segmentih epitaksije, naprav in modulov se pospešuje in domači proizvajalci IDM postopoma vstopajo v dobavne verige vodilnih čezmorskih proizvajalcev avtomobilov in proizvajalcev računalniških napajalnikov.
12-palčni substrati SiC vstopijo v fazo preverjanja industrializacije. Podjetja, kot je Tianyue Advanced, so že poslala vzorce 12-palčnih izdelkov, namenjenih naprednim embalažnim substratom za odvajanje toplote in scenarijem naprav z izjemno visoko močjo. 12 palcev dodatno zmanjša stroške na rezino, vendar so naložbe v opremo in težave pri procesu višje, hitrost industrializacije pa je počasnejša kot pri 8-palčnih.
Svetovni trg se hitro širi in delež prirastnega prispevka računalniških napajalnikov z umetno inteligenco še naprej narašča. Rast trga SiC ni več v celoti odvisna od nihanj cikla novih energetskih vozil, več scenarijev na koncu verige pa ščiti pred tveganjem cikla ene panoge.
4.3 Dolgoročno (po letu 2032): tehnologija dozoreva, stroški strmo padajo, vstopa v fazo obsežne popularizacije
Stroški naprav SiC še naprej upadajo in postopoma nadomeščajo napajalne naprave na osnovi silicija v bolj srednje- in nizkonapetostnih scenarijih, s scenariji uporabe, ki se širijo na gospodinjske aparate in potrošniške napajalnike. 12-palčni substrati SiC dosegajo obsežno množično proizvodnjo. Globalna industrijska veriga se nagiba k stabilnosti in Kitajska tvori popoln, avtonomno nadzorovan industrijski ekosistem SiC z globalno konkurenčnostjo v celotni verigi od substratov, opreme, epitaksije in čipov do modulov. Hkrati obstaja potencialna konkurenca na tehnoloških poteh. Materiali nove generacije s širokim pasovnim presledkom, kot je galijev oksid (Ga₂O3), predstavljajo potencialno substitucijsko grožnjo v specifičnih visokonapetostnih scenarijih, vendar srednje- in dolgoročno verjetno ne bodo ovrgli glavnega položaja SiC v močnostnih polprevodnikih.
V. Naložbena logika in izbira smeri (panoga/perspektiva lastniških naložb)
Proga SiC je kapitalsko intenzivna, tehnološko intenzivna pot preverjanja z dolgim ciklom. Naložbe ne morejo zgolj gledati na obseg zmogljivosti; jedro je v donosu, indikatorjih napak, certificiranju strank, denarnem toku in krivulji stroškov. Po preoblikovanju industrije leta 2025 se je naložbena logika premaknila s "širitve zmogljivosti" na "tehnične ovire + ovire za stranke".
5.1 Analiza prednostnih naložb po segmentih industrijske verige
1. Segment substratov navzgor v verigi: dajte prednost podjetjem z visoko zmogljivimi prevodnimi substrati avtomobilskega razreda
Substrati so segment z najvišjo vrednostjo in najmočnejšimi ovirami v celotni industrijski verigi ter edini segment, v katerem je Kitajska dosegla svetovno vodstvo. Glavni kazalniki naložbe: izkoristek prevodnega substrata, gostota napak v mikrocevkah, zmogljivost 8-palčne množične proizvodnje, certificiranje strank in lastna zmogljivost opreme za rast kristalov. Substratna podjetja, ki lahko proizvajajo samo izdelke z nizkimi indikatorji napak in ne morejo vstopiti v dobavne verige za avtomobilsko industrijo, imajo šibko dolgoročno donosnost in so tarče z visokim tveganjem. Napredna oprema za rast kristalov, rezanje, brušenje in poliranje ponuja domače možnosti zamenjave, proizvajalci opreme pa imajo koristi od nenehnega širjenja domačih proizvodnih linij substratov.
2. Segment epitaksije: Osredotočite se na podjetja epitaksije s stabilno serijsko dobavo in združljivostjo z MOSFET-ji avtomobilskega razreda
Kakovost epitaksije neposredno določa zanesljivost naprave, avtomobilska epitaksija pa ima visoke tehnične ovire. Naprave za epitaksijo potrebujejo tesno sodelovanje z rastlinami substratov in napravami. Podjetja s stabilno debelino epitaksialne plasti in zmožnostmi nadzora dopinga imajo dolgoročno vrednost.
3. Vmesne naprave in napajalni moduli: Osredotočite se na oznake avtomobilskega razreda, preverjanje zanesljivosti in zmogljivosti pakiranja
Segment naprav ima najgloblji jarek za čezmorske velikane z dolgimi cikli certificiranja (certificiranje proizvajalca avtomobilov običajno traja 2-3 leta). Naložbe bi morale dati prednost podjetjem, ki so že pridobila oznake vodilnih proizvajalcev avtomobilov, odjemalcev napajalnikov z umetno inteligenco in shranjevanja energije ter imajo certifikat AEC-Q100; pakiranje napajalnih modulov je domača šibka točka, visoko zanesljivi postopki pakiranja in napredne tehnologije pakiranja, kot je sintranje srebra, pa ponujajo naložbene priložnosti. Podjetja brez fabule s čistim dizajnom in brez lastniških proizvodnih linij se soočajo s tveganji zaradi dobave substrata in nihanj v procesu.
4. Konec aplikacij na nižji stopnji: Osredotočite se na podjetja za oskrbo z električno energijo in elektronsko krmiljenje z zmožnostmi oblikovanja sistemskih rešitev SiC
Vrednost proizvajalcev sistemov ni samo v nakupu naprav, ampak tudi v posedovanju zmogljivosti sistemske aplikacije, odvajanja toplote in nadzornih algoritmov za naprave SiC, ki lahko povečajo prednosti učinkovitosti SiC. Dajte prednost vodilnim podjetjem na področju elektronskega nadzora 800 V, strežniških napajalnikov z umetno inteligenco in PCS za shranjevanje energije.
5.2 Naložbene strategije
Primarna naložba lastniškega kapitala: dajte prednost postavitvi v segmentih z visokimi ovirami, kot so podlage, predhodna oprema, avtomobilska epitaksija in napajalni moduli; izogibajte se projektom nizkocenovnih substratov, ki so odvisni le od nizkih cen in nizkih donosov. Dajte prednost podjetjem, ki so opravila preverjanje dostave vzorcev in označevanja pri vodilnih strankah ter imajo trajna vlaganja v raziskave in razvoj; bodite previdni pri projektih, ki še niso vstopili v preverjanje strank in ostanejo samo na vzorčni stopnji.
Industrijska naložba: Primerno za vertikalno integracijo industrijske verige. Proizvajalci avtomobilov, podjetja za shranjevanje energije in računalniško napajanje lahko zaklenejo zmogljivost substrata in epitaksije navzgor, da zagotovijo varnost dobavne verige in se zavarujejo pred tveganji motenj dobavne verige v tujini.
Osredotočenost na vrednotenje: panoga je v ciklu širitve, podjetja pa imajo na splošno visoke kapitalske izdatke in zaostajajočo dobičkonosnost. Vrednotenja PE ni mogoče uporabiti poenostavljeno; osredotočite se na sledenje napredka povečanja donosa, stroškov rezin na enoto, naročil za določitev strank, izkoriščenosti zmogljivosti in denarnega toka.
VI. Opozorila o tveganju osnovne industrije
6.1 Tveganje, da povpraševanje na nižji stopnji ne bo izpolnilo pričakovanj
Če prodaja novih vozil z energijo in prodor modelov 800 V pade pod pričakovanji, bo povpraševanje po SiC neposredno povlečeno navzdol; če se kapitalski izdatki za strežnike z umetno inteligenco začasno zmanjšajo, se bo rast povpraševanja po energiji z umetno inteligenco upočasnila. Povpraševanje industrije SiC je globoko povezano z dvema velikima cikličnima industrijama, ki sta močno vloženi v kapital, novo energijo in računalniško močjo, in obstaja tveganje cikličnih nihanj.
6.2 Tehnologija in tveganje donosa
Rast kristalov SiC in postopki epitaksije so težavni. Napredek pri izboljšanju donosa, ki ne bo dosegel pričakovanj, bo še naprej povečeval stroške; težave pri zagonu velikih 8-palčnih in 12-palčnih proizvodnih linij so lahko višje od pričakovanih; tehnološki preboji v drugih širokopasovnih materialih, kot je galijev oksid, lahko povzročijo tveganje zamenjave.
6.3 Tveganje cenovne konkurence in zmanjšanja dobička
Čeprav je izdelkov za avtomobilsko industrijo trenutno v strukturnem pomanjkanju, če bo v naslednjih 2-3 letih v koncentrirano proizvodnjo danih veliko število 8-palčnih podlag, bo industrija lahko ponovno zašla v preveliko ponudbo, kar bo sprožilo nov krog cenovnih vojn, zmanjšalo bruto marže podjetij in povzročilo, da mnoga podjetja ostanejo v izgubi. Kapitalski izdatki industrije so ogromni in amortizacijski pritisk je visok; tudi ob rasti prihodkov lahko podjetja še dolgo poslujejo z izgubo.
6.4 Patentno in mednarodno trgovinsko tveganje
Voditelji v tujini imajo veliko število temeljnih patentov za substrate in naprave iz SiC, domača podjetja pa se soočajo s tveganjem patentnih sporov; nadzor izvoza polprevodnikov in čezmorske trgovinske ovire vplivajo na širitev domačih podjetij na čezmorske stranke ter na uvoz opreme in materialov.
6.5 Tveganje certificiranja
Cikli certificiranja za avtomobilske in industrijske naprave so dolgi. Po vlaganju znatnih sredstev za raziskave in razvoj bo neuspeh pri certificiranju strank ali zapoznela določitev neposredno vplivala na komercializacijo projekta.
VII. Zaključek
Silicijev karbid (SiC) je leta 2025 kot osrednji del sestavljenih polprevodnikov tretje generacije doživel brutalno zmanjšanje zmogljivosti in predstavlja prelomno točko strukturne blaginje. Logika rasti je bila nadgrajena iz pogona enega samega novega energetskega vozila na večtirno resonanco novih energetskih vozil + računalniški napajalniki z umetno inteligenco + fotovoltaično shranjevanje energije. Kratkoročno industrija kaže strukturno razlikovanje med ponudbo in povpraševanjem: visokokakovostnih izdelkov za avtomobilsko industrijo primanjkuje, medtem ko izdelki nižjega cenovnega razreda še vedno trpijo zaradi močne konkurence; srednjeročno in dolgoročno sta glavni liniji obsežno zmanjšanje stroškov 8-palčnih in domača zamenjava, računalniški napajalniki z umetno inteligenco pa odpirajo dolgoročno zgornjo mejo rasti industrije.
Kitajska industrijska veriga je dosegla globalni preboj v segmentu substratov, medtem ko segmenti epitaksije, naprav in modulov še naprej dohitevajo, vendar certificiranje avtomobilskega razreda, donos, stroški in patenti ostajajo glavne pomanjkljivosti. Na ravni naložb je prostor za dolgoročno rast proge gotov, vendar pa je industrija tir z visokimi kapitalskimi izdatki, dolgim ciklom preverjanja in ni primerna za preprosto lovljenje konceptov zmogljivosti. Ključna merila za preverjanje naložbenih ciljev: visok donos, nizki indikatorji napak, vodilne oznake kupcev, uvedba certificiranja za avtomobilsko industrijo in nadzorovana krivulja stroškov. Dajte prednost postavitvi v segmentih z visokimi ovirami, kot so predhodni substrati, oprema za rast kristalov, avtomobilska epitaksija in napajalni moduli, ter se izogibajte projektom brez osrednjih strank, z nizkim donosom in zanašanjem samo na obseg zmogljivosti. Hkrati je treba nenehno slediti ključnim spremenljivkam, kot so prodaja novih energijskih vozil, kapitalski izdatki umetne inteligence, povečanje donosa 8-palčnih ter čezmorske patentne in trgovinske politike, da preprečimo ciklična nihanja in tveganja industrializacije, ki ne bodo izpolnila pričakovanj.